اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,917
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP17_231
تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389
چکیده مقاله:
دراین مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونی و همچنین برپذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم در ساختار ورتسایت نقطه کوانتمی InxGa1-xN/GaN با حل معادله شرودینگر در تقریب جرم موثر و با روش بسط موج تخت بررسی می شود همچنین ترازهای انرژی و پذیرفتاری غیرخطی نوری مرتبه سوم به ترتیب برحسب پارامتر ساختاری طوی پایه b و انرژی فوتون پمپ شده با و بدون میدان الکتریکی بستگی قوی محاسبه شده است نتایج عددی نشان میدهد که میدان الکتریکی بستگی قوی و همچنین تغییرات اندازه QD برحالتهای الکترونی و خواص نوری نقطه کوانتمی InxGa1-xN/GaN تاثیر بسیار مهمی دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هاجر کاویانی باغبادرانی
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
مولود کاویانی باغبادرانی
دانشگاه الزهرا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :