اثر مدهای نقص برای قطبش TE در کریستال های فوتونیک یک بعدی

در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای یک بعدی نامتقارن با نقص در نظر گرفته شده و با محاسبه ضریب عبور با تغییر طول موج، تغییرات مد نقص بررسی شده است. مشاهده می شود که درون نوار گاف بلور فوتونی یک مد نقص وجود دارد. در قطبش TE با افزایش زاویه فرودی، مد نقص به سمت طول موج های کوتاه تر جابه جا می شود ارتفاع مد نقص تغییر زیادی نمی کند و همچنین با افزایش زاویه فرودی دو مد نقص در نوار گاف مشاهده می شود. همچنین مشاهده شد که با افزایش تعداد سلول های واحد، مکان مد نقص تغییری نمی کند و تنها تاثیر افزایش تعداد سلول های واحد به صورت باریک شدن شکل قله و افزایش تیزی لبه های نوار می باشد. به علاوه با افزایش ضریب شکست و ضخامت لایه ی نقص مدهای نقص به سمت طول موج های بزرگتر حرکت می کنند.

کلیدواژه های اثر مدهای نقص برای قطبش TE در کریستال های فوتونیک یک بعدی:

مدهای نقص ، قطبشTE ، کریستال های فوتونیک