CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف

عنوان مقاله: اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف
شناسه (COI) مقاله: ICOPTICP17_231
منتشر شده در هفدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و سومین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران در سال 1389
مشخصات نویسندگان مقاله:

هاجر کاویانی باغبادرانی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
مولود کاویانی باغبادرانی - دانشگاه الزهرا

خلاصه مقاله:
دراین مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونی و همچنین برپذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم در ساختار ورتسایت نقطه کوانتمی InxGa1-xN/GaN با حل معادله شرودینگر در تقریب جرم موثر و با روش بسط موج تخت بررسی می شود همچنین ترازهای انرژی و پذیرفتاری غیرخطی نوری مرتبه سوم به ترتیب برحسب پارامتر ساختاری طوی پایه b و انرژی فوتون پمپ شده با و بدون میدان الکتریکی بستگی قوی محاسبه شده است نتایج عددی نشان میدهد که میدان الکتریکی بستگی قوی و همچنین تغییرات اندازه QD برحالتهای الکترونی و خواص نوری نقطه کوانتمی InxGa1-xN/GaN تاثیر بسیار مهمی دارد.

کلمات کلیدی:
میدان الکتریکی بستگی، نقطه کوانتمی، نورغیرخطی، اثر اندازه کوانتمی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/105171/