هاجر کاویانی باغبادرانی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
مولود کاویانی باغبادرانی - دانشگاه الزهرا

دراین مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونی و همچنین برپذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم در ساختار ورتسایت نقطه کوانتمی InxGa1-xN/GaN با حل معادله شرودینگر در تقریب جرم موثر و با روش بسط موج تخت بررسی می شود همچنین ترازهای انرژی و پذیرفتاری غیرخطی نوری مرتبه سوم به ترتیب برحسب پارامتر ساختاری طوی پایه b و انرژی فوتون پمپ شده با و بدون میدان الکتریکی بستگی قوی محاسبه شده است نتایج عددی نشان میدهد که میدان الکتریکی بستگی قوی و همچنین تغییرات اندازه QD برحالتهای الکترونی و خواص نوری نقطه کوانتمی InxGa1-xN/GaN تاثیر بسیار مهمی دارد.

میدان الکتریکی بستگی، نقطه کوانتمی، نورغیرخطی، اثر اندازه کوانتمی