مدل تحلیلی دوبعدی پتانسیل کانال درنانوماسفت های گیت احاطه شده بااستفاده ازتئوری مقیاس درحضوربارهای متحرک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 490
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_672
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
دراین مقاله روشی برای محاسبه پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور باگیت احاطه شده دردوبعد و درحضوربارهای متحرک بااستفاده ازتئوری مقیاس ارایه شده است برخلاف روشهای موجود درتئوری مقیاس که باردرون کانال را ثابت درنظر میگیرند و فقط برای شرایط کار زیراستانه یاالایش های شدید کانال صادق هستند درروش ارایه شده باردرون کانال متحرک است و باردرطرف دوم معادله پواسون دیگر ثابت نیست ازاین رو برای شرایط کاری مختلف صادق است دراین حالت پتانسیل کانال بصورت مجموع دومولفه کانال بلند یک بعدی و کانال کوتاه دوبعدی درنظر گرفته میشود مولفه کانال بلند باحل معادله پواسون یک بعدی درحضوربارمتحرک و موفه کانال بلند ازمعادله باقی مانده بااستفاده ازتئوری مقیاس بدست می آید همچنین برخلاف روشهای موجود که پتانسیل دوبعدی را بصورت سریهای نامتناهی بسل ارایه می کنند روش پیشنهادی رابطه بسته ای رابرای پتانسیل دوبعدی کانال ارایه میکند که امکان بررسی تاثیر پارامترهای فیزیکی را برروی ویژگیهای الکتریکی ترانزیستور دراختیار میگذارد نتایج شبیه سازی درستی روش پیشنهادی را نشان میدهد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهرا قنادیان
گروه مهندسی برق دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد
سیدامیر هاشمی
گروه مهندسی برق دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :