بررسی تأثیر کاهش تأخیر زمانی گیت افزاره دیود اثر میدان در رژیم نانومتر

دیود اثر میدان یکی از افزارههایی است که برای طول کانالهای بزرگتر از 100nm عملکرد بهتری نسبت به یک MOSFETبا ابعاد مشابه دارد. هدف پژوهش حاضر، بررسی تأثیر کاهش تأخیر زمانی گیت افزاره دیود اثر میدان در رژیم نانومتر بوده است. شبیه سازیهای عددی انجام شده با نرمافزارهای شبیه ساز افزاره مانند ISE-TCAD و Silvaco-ATLAS روش تحقیق در این پژوهش بوده است. برای نمایش بهتر خروجی نرمافزارهای شبیه ساز افزاره در MATLABبازنمایی شدند. برای اعتبارسنجی، نتایج حاصل شده با نتایج قبلی که توسط دیگران در پایگاه داده IEEEگزارش شده است، مقایسه گردید. نتایج بررسیهای انجام شده در این پژوهش نشان میدهد که برای طول کانال 75nmبا درصدولی ژرمانیوم 0.4تأخیر ذاتی گیت 85 درصد بهبود مییابد. نتایج شبیهسازی نشان میدهد؛ ولتاژ زانو برای افزاره پیشنهاد شده از 0.9V بهV 0.6 کاهش یافته است. این امر سبب کاهش توان مصرفی افزارهمیشود .

کلیدواژه ها:

گیت ، افزاره دیود اثر میدان ، رژیم نانومتر