ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

بررسی و شبیه سازی تاثیرات کاهش گستره هم پوشانی سورس ودرین با گیت بر روی جریان درین و ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور سیلیکون بر عایق ( SOI-MOFET)

سال انتشار: 1388
کد COI مقاله: NEEC02_029
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 1,403
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 6 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی و شبیه سازی تاثیرات کاهش گستره هم پوشانی سورس ودرین با گیت بر روی جریان درین و ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور سیلیکون بر عایق ( SOI-MOFET)

محسن خانی پرشکوه - گروه برق- دانشگاه تربیت معلم سبزوار
ایمان عباسپور کازرونی - گروه فیزیک- دانشگاه تربیت معلم سبزوار

چکیده مقاله:

در تکنولوژی روز دنیا ترانزیستورهای گستره درین نا متقارن (ADSE ) به خاطر بهبود اثرات کانال در تکنولوژی بلای 32 نانو متر اهمیت بالایی پیدا کرده است. یکی از اثرات گستره نامتقارن تاثیر بر روی جریان درین می باشد. به عبارتی جریان درین متناسب با تغییر میزان هم پوشانی بین قسمت سورس یا درین با گیت تغییر می کند. ما در این مقاله در دو حالت تاثیر این تغییرات گستره هم پوشانی را برجریان درین و همچنین بر ولتاژ آستانه مورد بررسی قرار داده ایم تا اثر افزایش طول کانال و تغییر میزان هم پوشانی را تفکیک کنیم. شبیه سازی و بررسی نتایج به کمک نرم افزار silvaco-atlas در این مقاله آورده شده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور گستره سورس درین نامتقارن (ADSE )، اثرات کانال کوتاه، ولتاژ آستانه

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا NEEC02_029 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/86642/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
خانی پرشکوه، محسن و عباسپور کازرونی، ایمان،1388،بررسی و شبیه سازی تاثیرات کاهش گستره هم پوشانی سورس ودرین با گیت بر روی جریان درین و ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور سیلیکون بر عایق ( SOI-MOFET)،دومین کنفرانس ملی مهندسی برق،نجف آباد،،،https://civilica.com/doc/86642

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1388، خانی پرشکوه، محسن؛ ایمان عباسپور کازرونی)
برای بار دوم به بعد: (1388، خانی پرشکوه؛ عباسپور کازرونی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • T. Skotnicki, J. A. Hutchby, T.-J. King, H.- S. P. ...
  • Qikai Chen, Member, IEEE, Niladri Narayan Mojumder, Student Member, IEEE, ...
  • DEVICES, VOL. 55, NO. 4, APRIL 2008 ...
  • A. Bansal, B. C. Paul, and K. Roy, "Impact of ...
  • T. Ghani, K.Mistry, P. Packan, M. Armstrong, S. Thompson, S. ...
  • performance sub-50 nm gate length CMOS devices, " in VLSI ...
  • T. Ghani, K.Mistry, P. Packan, M. Armstrong, S. Thompson, S. ...
  • high performance sub-50 nm gate length CMOS devices, " in ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 10,802
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی