تحلیل مشخصه های ترانزیستورهای n-MOSFET د ر تکنولوژی سیلیکون روی عایق

با گذشت زمان و توسعه ادوات نیمه هادی، ساخت این قطعات به سمت هرچه کوچک تر شدن این ابزار پیش می رود به این منظور، استفاده از فناوری CMOS در سایزهای کمتر μm 0.8 متمرکز شده است. یکی از مزایای این پیشرفت، پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد. برای حل مشکلات کانال کوتاه از تکنولوژی سیلیکون روی عایق SOI استفاده می شود. ویژگی های ذاتی این فناوری، ترانزیستورهای کوچک تر با سرعت سوییچینگ سریع تر، کم مصرف تر با منابع ولتاژ پایین تر را ایجاد نموده است در این مقاله به تحلیل و مقایسه مشخصه های تکنولوژی سیلیکون روی عایق با تکنولوژی معمول بالک با تمرکز بر جریان نشت، ولتاژ آستانه و زیر آستانه در محدوده زیر میکرو پرداخته شده است. این تکنولوژی Silvaco-Athena پیاده سازی و پارامترهای مربوطه با استفاده از Atlas در سایزهای مختلف ارایه شده است.

کلیدواژه ها:

لاتین CMOS ، تکنولوژی SOI ، شبیه ساز Silvaco-Athena Atlas