ساختارنوین دیود اثرمیدانی با اتصال جانبی با نرخ ION/IOFF بالا در کاربرد نانو

دیود های اثر میدانی نسبت به ترانزیستورهای اثرمیدان، جریان حالت روشن بالاتر و جریان نشتی کمتری دارد. اما برای طول کانال کمتر از 100 نانومتر خاموش نمی شود. از این رو ساختارهای اصلاح شده دیود اثر میدانی M-FED و S-FED ارائه شده است. در این مقاله، ساختار نوینی برای کاهش جریان خاموشی و افزایش جریان روشنی افزاره S-FED پیشنهاد شده که DS-FED نامیده می شود. در ساختار DS-FED با ایجاد دو مسیر جریان و کنترل کانال از طریق گیت های بالایی و پایینی، میزان جریان خاموشی و روشنی بهبود می یابد. از این رو با مقایسه ساختار ارائه شده و S-FED در طول کانال 25 نانومتر نشان داده می شود که جریان روشنی ION و خاموشی IOFF بهبود یافته و نسبت جریان حالت روشنی به جریان حالت خاموشی ION/IOFF که یکی از پارامترهای مهم درکاربردهای دیجیتال می باشد از مرتبه 10(3) در ساختار S-FED به مرتبه 10(5) در ساختار جدید افزایش یافته است

کلیدواژه ها:

دیوداثرمیدانی FED ، دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی S-FED ، نسبت .ION/IOFF