شبیه سازی ادوات سیلیکون فوتونیکبه روشتفاضلات محدود حوزه زمان

این مقاله روش FDTD را برای شبیه سازی جامع ادوات سیلیکون فوتونیک ارائه می کند. با این شبیه ساز، تغییر ضریب شکست بر اثر حامل های آزاد (ناشی از جذب دو فوتونی) و اثر کر در موجبر سیلیکونی مطالعه شد. نتایج نشان دهنده چگونگی انتخاب شکل مناسب پالس پمپ برای عملکرد بهینه ادوات فعال فوتونیکی است. همچنین تغییر رسانایی موجبر در اثر تغییر چگالی حامل های آزاد مطالعه شد. با داشتن پروفایل رسانایی، می توان طرح های بهتری برای جاروب حامل های آزاد به کمک بایاس معکوس یا اثر فوتوولتاییکبرای ادوات سریع و تقویت کننده های رامان طراحی کرد.

کلیدواژه ها:

جذب دو فوتونی ، روش تفاضل محدود حوزه زمان ، سیلیکون فوتونیک