ساخت موجبر در کریستالهای فوتونیکی سیلیکونی با ترکیب روشهای لیتوگرافی تداخلی، لیتوگرافی با ماسک و لایه برداری شیمیایی
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,821
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_158
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله یک روش ساده برای ایجاد موجبر در کریستالهای فوتونیکی سیلیکونی ساخته شده با روش لیتوگرافی تداخلی معرفی می شود. دراین روش ابتدا الگوی کیستال فوتونیکی با روش لیتوگرافی تداخلی در یک لایه کروم ایجاد و سپس با روش لیتوگرافی نوری با ماسک، طرح موجبر به لایه کروم اضافه می شود. سپس با استفاده از روش لایه برداری شیمیایی طرح موجبر و کریستال در لایه سیلیکون ایجاد می شوند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رضا اسدی
دانشگاه تهران، دانشکده فیزیک، دانشگاه مالک اشتر پردیس تهران - مجتمع ب
شاهین باقری
دانشگاه مالک اشتر پردیس تهران - مجتمع برق و الکترونیک
مهدی خواجه
دانشگاه مالک اشتر پردیس تهران - مجتمع برق و الکترونیک
مهدی فاضلی
دانشگاه مالک اشتر پردیس تهران - مجتمع برق و الکترونیک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :