بررسی اثر تغییر طول گیت در عملکرد یک SOI-MOSFET
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,628
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_069
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله میزان تاثیر طول گیت بر مشخصه های ترانزیستورهای نانومتری SOI- MOSFET بررسی شده است. سه ترانزیستور با طول گیت 200،100 و 500 نانومتر بررسی و مشاهده شد که در یک طول کانال ثابت هر چقدر طول گیت را افزایش دهیم شیب منحنی ID-VGS بیشتر می شود که حاصل آن افزایش هدایت انتقالی است. همچنین با بیشتر شدن طول گیت اثر ولتاژ درین روی جریان درین کم می شود و به عبارت دیگر DIBL کاهش می یابد.
نویسندگان
سید ابراهیم حسینی
دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
ابوالفضل رحمانی
دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت معلم سبزوار