ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

آنالیز و شبیه سازی ترانزیستورهای SOI-MOSFET با نواحی سورس و درین الکتریکی برای بهبود آثار کوچک سازی کانال

سال انتشار: 1387
کد COI مقاله: ICEE16_289
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 4,389
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 5 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله آنالیز و شبیه سازی ترانزیستورهای SOI-MOSFET با نواحی سورس و درین الکتریکی برای بهبود آثار کوچک سازی کانال

علی اصغر اروجی - دانشگاه سمنان

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ترانزیستور میدان نوین در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق آنالیز و شبیه سازی شده است. در این ترانزیستور از نواحی سورس و درین الکتریکی برای بهبود آثار کوچک سازی سول کانال استفاده شده است. با استفاده از یک شبیه ساز دو بعدی پارامترهای گوناگون این ترانزیستور از قبیل مشخصه خروجی، ولتاژ آستانه، میدان الکتریکی و دمای الکترون ها مورد بررسی و تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. همچنینی مشخصات فوق با مشخصات یک ترانزیستور مشابه اما بدون نواحی سورس و درین الکتریکی مقایسه می گردند. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که این ترانزیستورها می توانند نقش مهمی در جهت کاهش ابعاد ترانزیستورها و افزایش قابلیت اطمینان در آنها داشته باشند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، سیلیسیم روی عایق ، اثرات کوچک سازی کانال ، سد پتانسیل ناشی از ولتاژ درین

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا ICEE16_289 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/47787/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
اروجی، علی اصغر،1387،آنالیز و شبیه سازی ترانزیستورهای SOI-MOSFET با نواحی سورس و درین الکتریکی برای بهبود آثار کوچک سازی کانال،شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران،تهران،،،https://civilica.com/doc/47787

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1387، اروجی، علی اصغر؛ )
برای بار دوم به بعد: (1387، اروجی؛ )
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • H. Krautscheider, A. Kohlhase, and H. Terlezki, *Scaling and reliability ...
  • H. C. Poon, L. D. Yau, R. L. Johnston, and ...
  • Ali A. Orouji and M. Jagadesh Kumar, ،Shielded Ch annel-Double ...
  • A. Chaudhry and M. J. Kumar, 4Controlling Short-Channel Effect in ...
  • -Two؛ [5] M. Jagadesh Kumar and Ali A. Orouji, Dimensional ...
  • S. Han, S. Chang, J. Lee, and H. Shin, *50 ...
  • Ali A. Orouji and M. Jagadesh Kumar, "A New Symmetrical ...
  • MEDICI 4.0, Technology Modeling Associates, Palo Alto, CA, 1997. ...
  • T. H. Ning, P. W. Cook, R. H. Dennard, C. ...
  • K. K. Ng and G. W. Taylor, ،Effects of hot- ...
  • T. Ghani, K. Mistry, P. Packan, S. Thompson, M. Stettler, ...
  • challenges and device design requirements for high performance sub-50 nm ...
  • R. R. Troutman, ،VLSI limitation from drain- induced barrier lowering, ...
  • Y. Cheng, M.-C. Jeng, Z. Liu, J. Huang, M. Chan, ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 8,334
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی