بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق با استفاده از نرم افزار سیلواکو

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 806

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IRCEM02_234

تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک سازی قطعات ایجاد می گردد، اشاره می شود. سپس به تکنولوژی سیلیکون روی عایق پرداخته می شود و مزایای استفاده از این تکنولوژی بیان می گردد و ترانزیستورهای مبتنی بر آن معرفی و بررسی و مقایسه می گردد. در ادامه منحنی مشخصات ترانزیستور مبتنی بر این تکنولوژی استخراج می گردد و ولتاژ آستانه و پارامترهای موثر در ولتاژ آستانه، شیب زیر آستانه و اثر Kink و گرم شدن شبکه لتیس مربوط به ترانزیستورهای مبتنی تکنولوژی سیلیکون روی عایق مورد مطالعه قرار می گیرد و تاثیر آن ها روی منحنی مشخصات بررسی می شود. پروسه شبیه سازی با استفاده از نرم افزار سیلواکو انجام می شود. در انتها نتیجه گیری بررسی و شبیه سازی ها ارایه می گردد.

نویسندگان

عبدالله عباسی

گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران

طاهره رادسر

گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران