بررسی تغییر در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییرقطر و طول کانال، و چگالی ناخالصی
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,767
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_220
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی جایگزینی نویدبخش برای ترانزیستورهای سیلیکونی درتکنولوژی آینده ادوات الکترونیکی هستند. در این مقاله اثر تغییرات چگالی ناخالصی سورس/ درین و طول گیت بر تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (فرمول در متن اصلی مقاله) برای یکترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محورکه کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی و با نمایش ساختار باند انرژی و تابع توزیع الکترون اثر این تغییرات توجیه می گردد. اگر (فرمول در متن اصلی مقاله) و n از 10 تا 17 در نظر گرفته شود، با افزایش a افزایش قطر نانو لوله کربنی) در هر سطحی از ناخالصی و در هر طول کانالی ، نسبت جریان روشن به خاموش کاهش و برای مقادیر ثابت a با افزایش b به طور محدود افزایش می یابد a عددی طبیعی و b برابر 1 یا 2 است. از طرفی افزایش چگالی ناخالصی در سورس/ درین و نیز کاهش طول گیت در یک n مشخص، باعث کاهش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش می شود
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شاهین قربانی زاده شیرازی
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
ستار میرزا کوچکی
دانشگاه علم و صنعت ایران، پژوهشکده الکترونیک
علی کاظم پور
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :