بررسی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی CNFET در مدارات فرکانس بالا و مقایسه با انواع دیگر ترانزیستورها

با پیشرفت روز افزون تکنولوژی نیاز به مدارهایی با توانایی کارکردن در فرکانس های بالا بدون اضافه کردن محدودیت های جدیدی از قبیل نویز تلفات حجم و .. بشدت حس می شود با توجه به نظریه ی گوردن مور مبنی بر اینکه هر 18 ماه ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده پس باید ترانزیستورهای وجود داشته باشند که ضخامت اکسید درگاه آن ها به کمتر از یک نانومتر برسد پس از انجام آزمایش های بسیار دانشمندان به این نتیجه رسیدند که نانو لوله های کربنی که اساس ساختار آن از کربن است می تواند جای ساختار قدیمی سیلیکونی را بگیرد که از مزایای آن می توان به قدرت سوئیینگ با فرکانس بالاتر برای کاربرد در مدارهای فرکانس بالا منحنی های ولتاژ به جریان ایده آل تر توزیع سرعت انتقال کربن و تحرک پذیری بهتر شااره کرد همچنین در مدارهای مجتمع به کار برده شده می تواند باعث جریان کشی کمتر شود که خود منجر به توان تصادفی پایین تر و نیز کاهش برخی نیزها مانند shot noise می شود که در نتیجه بهبود کارایی قابل لمسی نسبت به ماسفت های سیلیسیمی خاهد داشت در این مقاله ابتدا ساختار ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی از جهات مختلف مورد بررسی قرار می گیرد و سپس تئوری ایجاد جریان و مزیت های آن در بکار رفتن در مداراهای فرکانس بالا مورد ارزیابی قرار می گیرد در آخر نیز مقایسه ای بین ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی و ترانزیستورهای اثر میدان دیگر صورت می گیرد

کلیدواژه ها:

مدارهای فرکانس بالا ، نانو لوله های کربنی ، ترانزیستور CNFET ، UTSOI ، MOSFET bulk ، MOSFET