شاهین قربانی زاده شیرازی - دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
ستار میرزا کوچکی - دانشگاه علم و صنعت ایران، پژوهشکده الکترونیک
علی کاظم پور - دانشگاه آزاد اسلامی قزوین

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی جایگزینی نویدبخش برای ترانزیستورهای سیلیکونی درتکنولوژی آینده ادوات الکترونیکی هستند. در این مقاله اثر تغییرات چگالی ناخالصی سورس/ درین و طول گیت بر تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (فرمول در متن اصلی مقاله) برای یکترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محورکه کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی و با نمایش ساختار باند انرژی و تابع توزیع الکترون اثر این تغییرات توجیه می گردد. اگر (فرمول در متن اصلی مقاله) و n از 10 تا 17 در نظر گرفته شود، با افزایش a افزایش قطر نانو لوله کربنی) در هر سطحی از ناخالصی و در هر طول کانالی ، نسبت جریان روشن به خاموش کاهش و برای مقادیر ثابت a با افزایش b به طور محدود افزایش می یابد a عددی طبیعی و b برابر 1 یا 2 است. از طرفی افزایش چگالی ناخالصی در سورس/ درین و نیز کاهش طول گیت در یک n مشخص، باعث کاهش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش می شود

ترانزیستور اثر میدانی، نانولوله کربن، نسبت جریان روشن به خاموش، طول کانال، چگالی ناخالصی