اثر میدان مغناطیسی ایستا بر روی آپوپتوز و مرگ سلولی

برخی از اثرات بیولوژیکی احتمالی میدان مغنایسی ایستا در تحقیقات اخیر مورد بحث قرار گرفته است. این تحقیق جهت ارزیابی اثرات سیس پلاتین، متعاقب مواجهه با میدان مغنایسی ایستا بر روی مرگ سلولی انجام شده است. سلول ها در معرض میدان مغناطیسی ایستا، غلظت IC50 سیس پلاتین و هر دو تیمار قرار گرفتند. اثر مهاری داروی سیس پلاتین بر روی رشد سلول های HeLa رده سرطانی و Hu02 رده طبیعی و نیز اثر میدان مغناطیسی ایستا بر روی مرگ سلولی پره G1، آپوپتوز/ نکروز با بکارگیری روش فلوسایتومتری بررسی شد. یافته ها حاکی از آن است که بکارگیری توام میدان مغناطیسی ایستا و سیس پلاتین در سلول های HeLa در زمان 24 ساعت باعث افزایش میزان نکروز آپوپتوز در مراحل اولیه می شود، در حالیکه میزان آپوپتوز در مراحل پایانی در همین دوره زمانی کاهش پیدا می کند P<0.05 داده ها هیچ تغییر شاخصی را در سلول های Hu02 در این زمان نشان نمی دهد. علیرغم اینکه شدت mT10 میدان مغناطیسی خیلی زیاد نیست ولی قادر است عملکرد و ساختار سلولی را تغییر داده و موجب صدمات غیر قابل بازگشت و نیز تغییر میزان آپوپتوز و مرگ سلولی گردد. داده های موجود نشان می دهند که میدان مغناطیسی ایستا می تواند مرگ سلولی را افزایش دهد اما لازم است بررسی های بیشتری جهت دستیابی به مکانیسم دقیق آن صورت گیرد

کلیدواژه ها:

میدان مغناطیسی ایستا ، آپوپتوز ، سیس پلاتین ، سلول های HeLa ، فلوسایتومتری ، پره G1