ساختار الگترونیکی نقاط کوانتومی خود سازمان InAs/GaAs با شکل ها و اندازه های مختلف
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,484
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_175
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله برای مطالعه وابستگی توابع موج و حالت های الکترونیکی نقاط کوانتومی InAs/GaAs به تغییرات اندازه و شکل نقاط کوانتومی، یک مدل سه بعدی فرمولبندی می شود. شکل های QD مورد بررسی مکعب، استوانه ای و هرمی می باشد و مدل ارائه شده برای بررسی ساختار الکترونیکی بر پایه تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج محاسبات نشان دهنده تاثیرات زیاد شکل و اندازه QDs بر ساختار الکترونی آن ها می باشد.
نویسندگان