الکترونیک در ابعاد اتم

امروزه الکترونیک را می توان علمی دانست که تقریبا بیشتر زندگی انسان را احاطه کرده است و در اکثر زمینه های شغلی نیز قابل استفاده است. در زمینه ی الکترونیک باید بحث جامدات مطالعه شود چرا که در اوایل قرن بیستم میلادی عدم توجیه و توجه به این پدیده الکترونیک را به حالت ساکن در آورد و بر این اساس دو نظریه در آن زمان بنام های نظریه نسبیت و کوانتوم به وجود آمد که یکی از نظریه ها پدیده رسانای الکتریکی در جامدات بود حالت جامد یک نظریه کلاسیک و کوانتوم می تواند باشد که در آن عوامل قرار گرفتن اتم ها در کنار هم و ساخت خواص الکتریکی را بحث می کند می توان گفت اجسام به چهار دسته رسانا، نیمه رسانا, و ابر رسانا تقسیم می شود همان طور که می دانیم اتم از دوبخش اصلی هسته و الکترون تشکیل می شود و الکترون ها مدام به دور هسته در حال چرخش می باشد و نیروی الکتروستاتیکی که بین هسته و الکترون قرار می گیرد در قید جاذبه می باشد در قطعات الکترونیکی می توان به ترانزیستورها اشاره کرد که در آن MOS دو بخش اصلی NMOS و PMOS می باشد که NMOS ها دارای بار الکترون های آزاد که حامل الکترون می باشد و از آن طرف PMOS ها دارای حفره های آزاد مثبت می باشد ترانزیستورها NMOS دارای 3 ناحیه ای اصلی بنا شده است نواحی دارای دو ناحیه N , P می باشد که P خود ناحیه ی نیم رسانا است که به بدنه ی اصلی وصل می باشد در بخش فناوری نانو استفاده از نانو لوله های کربنی (CNT) می توان چالش در بخش ترانزیستورها را به حداقل رسانید و بهترین روش برای جایگزنی با مواد سیلیکونی است.

کلیدواژه ها:

رفتار طول موج ، ترانزیستور ، نانو لوله کربنی