بهبود عملکرد اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ

در این مقاله برای طراحی و شبیه سازی نوسانساز موردنظر از روش مقاومت منفی موازی با سلف و خازن به عنوان تانکسلفی-خازنی برای ایجاد فیدبک مثبت و ایجاد نوسان مطلوب استفاده شده است. برای ساخت مقاومت منفی از عناصر اکتیوکه ترانزیستورها می باشند، به دلیل حجم اشغالی کمتر و قابلیت پیاده سازی بر روی آی سی های توان پایین استفاده شده است.مقاومت منفی لازم به روش اتصال جفت ترانزیستورهای ضربدری طراحی و شبیه سازی شده است. بانک خازنی متشکل ازخازن های ترانزیستوری (خازن گیت-سورس) می باشد، قابلیت کنترل با کلمات کنترلی FCW برای پوشش تمامی پهنای باندفرکانسی مورد نظر در طراحی سنتزکننده ی تمام دیجیتال را دارا می باشد. اسیلاتور طراحی شده در سایز 0.180um درتکنولوژی CMOS در نرم افزار ADS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج حاصله و مقایسه ها در جدولی خلاصه شده استبه طوری که مقدار عددی معیار شایستگی برای این مدار طراحی شده. 198dBc/Hz می باشد که نشان دهندهی کیفیت اینطراحی می باشد. نویز فاز بدست آمده از شبیه سازی مدار طراحی شده برای اسیلاتور نوسان کننده با ولتاژ در این مقالهبرابر 145dBc/Hz می باشد که مقدار بسیار خوبی از لحاظ خلوص طیفی فرکانسی را بیان می دارد. فرکانس مرکزی در نظرگرفته شده برای این محاسبات مقدار 2/4 گیگاهرتز می باشد و آفست فرکانسی مدنظر در محاسبات و فرمول های معیار شایستگی 1مگاهرتز بوده است. توان مصرفی زیر 3/3 میلی وات می باشد.

کلیدواژه ها:

نوسانساز ، اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ ، معیار شایستگی ، نویز فاز ، مقاومت منفی