تأثیر میدان‌های مغناطیسی 217 هرتز پالسی ناشی از گوشی‌های موبایل GSM900 با شدت‌های متفاوت بر روی فعالیت کانال‌های یونی سلول عصبی

هدف از بررسی حاضر نشان دادن تأثیر میدان‌های مغناطیسی کم فرکانس 217 هرتز ناشی از گوشی موبایل GSM900 بر فعالیت کانال‌های یونی سلول عصبی F1 حلزون باغی می‌باشد. براساس اندازه‌گیری شدت میدان‌های مغناطیسی ناشی از گوشی موبایل، محدوده‌ای از چگالی شار میدان مغناطیسی (229-0/46 میکروتسلا) با فرکانس 217 هرتز در سیستم مولد میدان مغناطیسی ایجاد شد. فعالیت بیوالکتریک سلول‌های عصبی F1 با روش ثبت داخل سلولی گیرش جریان (Current Clamp) در فواصل زمانی مختلف در گروه کنترل، شاهد و آزمایش بررسی شد. تابش میدان‌های مغناطیسی پالسی موجب کاهش دامنه و فرکانس پتانسیل‌های عمل سلول عصبی F1 شد. همچنین دامنه هیپرپلاریزاسیون متعاقب و طول مدت پتانسیل عمل پس از اعمال میدان بطور معنی‌دار (P>0.05) افزایش می‌یابد. با مدلسازی سلول عصبی تحت تأثیر میدان‌های مغناطیسی این تغییرات بر روی کانال‌های یونی مشخص گردید. نتایج حاصل از این تحقیق نشان می‌دهد که میدان‌های مغناطیسی 217 هرتز با شدت‌های مختلف روی فعالیت خودبه‌خودی سلول عصبی تأثیر گذاشته و تغییرات ایجاد شده در پارامترهای کانال‌های یونی سلول عصبی موجب تغییرات تحریک‌پذیری می‌شود.

کلیدواژه ها:

مدلسازی سلول عصبی ، کانال‌های یونی ، کلمپ جریان ، میدان‌های مغناطیسی پالسی 217 هرتز ، میدان‌های مغناطیسی ELF