بررسی عددی افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی و عدد ناسلت نانوسیال غیرنیوتنی در جریان مغشوش درون لوله

در این تحقیق، جریان مغشوش یک نانوسیال غیرنیوتنی در یک لوله افقی با مقطع مدور و با در نظر گرفتن شارحرارتی ثابت روی جداره لوله، به روش دینامیک سیالات محاسباتی (CFD) شبیه سازی شده است. به این منظور با استفاده از نرم افزار فلوئنت معادلات بقای جرم، بقای مومنتم و بقای انرژی برای جریان مغشوش سیال غیرنیوتنی محلول آبی 5/0% وزنی کربوکسی متیل سلولز و همچنین برای نانوسیال حاوی ذرات آلومینا در سیال غیرنیوتنی مذکور تحلیل شده است. میدان های دمای نانوسیال ها به دست آمده و با تحلیل نتایج، ضریب انتقال حرارت جابجایی نانوسیال ها محاسبه شده است. نتایج حاصله، با نتایج سیال پایه مقایسه شده اند. اثرات کسرحجمی یا غلظت نانوذرات و عدد رینولدز بر ضریب انتقال حرارت جابجایی و عدد ناسلت بررسی شده اند. نتایج، بیانگر افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی و عدد ناسلت با استفاده از نانوسیال غیرنیوتنی نسبت به سیال غیرنیوتنی پایه است. این افزایش با کسرحجمی نانوذرات و عدد رینولدز رابطه مستقیم دارد. نتایج این تحقیق تطابق مطلوبی را با نتایج تحقیقات آزمایشگاهی نشان می دهد

کلیدواژه ها:

نانوسیال ، غیرنیوتنی ، انتقال حرارت جابجایی ، جریان مغشوش ، ناسلت