اثر ساختار ریز بر طیف گسیل خودبخودی وجذب - پاشندگی اتم چهار ترازی در بلور فوتونیک
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,747
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_040
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
چکیده مقاله:
در اینمقاله اثر ساختار ریز تراز پایه، بر طیف گسیل خودبخودی و جذب – پاشندگی اتم چهار ترازی واقع در بلور فوتونیک مطالعه می شود. در مدل بکار رفته فرض بر این است که گذار از تراز بالایی اتم به یکی از ترازهای پایینی که حاوی ساختار ریز است در نزدیکی لبه گاف باند فوتونیکی صورت می گیرد و گذار از تراز بالایی به تراز پایینی دیگر که طیف گسیل خودبخودی و همچنین جذب و پاشندگی در آن مد نظر است در فضای آزاد رخ می دهد. نشان داده می شود که با تنظیم فاصله ترازهای ساختار ریز، می توان طیف گسیل خودبخودی ، و همچنین طیف جذب و پاشندگی باریکه کاوشگر را کنترل کرد.
نویسندگان
حمید واحد
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
صمد روشن انتظار
دانشگاه تبریز، پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی
حبیب تجلی
دانشگاه تبریز، پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی