بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,121
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_034
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
چکیده مقاله:
در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN/GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی وبه درین می شوند . وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند . در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN ونیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است . جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد
نویسندگان
محمدرضا کارآمد
پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی، دانشگاه تبریز
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی، دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی
پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی، دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :