ساخت ترانزیستورهای لایه نازک اکسید روی و بررسی اثر سطح تماس مشترک اتصالات سورس درین و کانال بر عملکرد آن

در این مقاله ساخت ترانزیستور های لایه نازک بر پایه اکسید روی را مورد بررسی قرار دادیم و همچنین مشخصه های مهم این افزاره را معرفی و استخراج کردیم. هندسه و ابعاد ترانزیستور بر عملکرد ترانزیستورر تاثیر زیادی دارد. از جمله پارامتر هایی که می تواند بر روی عملکرد ترانزیستورهای لایه نازک موثر باشد سطح تماس مشترک بین اتصالات سورس درین و کانال اکسید روی می - باشد. آزمایش های انجام شده نشان می دهد که با افزایش سطح تماس مقدار جریان روشن ترانزیستور افزایش می یابد

کلیدواژه ها:

اکسید روی ، ترانزیستورهای لایه نازک ، جریان روشن ، سطح تماس مشترک ، موبیلیتی اشباع