CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN

عنوان مقاله: بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN
شناسه ملی مقاله: IPC85_034
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1385 در سال 1385
مشخصات نویسندگان مقاله:

محمدرضا کارآمد - پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی، دانشگاه تبریز
اصغر عسگری - پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی، دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی - پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی، دانشگاه تبریز

خلاصه مقاله:
در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN/GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی وبه درین می شوند . وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند . در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN ونیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است . جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/24679/