شبیه سازی منحنی مغناط ش تک یاخت ه ی فریت رو ی در صفر درج ه کلوین با مـدل سازی مغناطیسی در مقیاس اتمی

ما در این تحقیق،بااستفاده از مدل سازی مغناطیسی در مقیاس اتمی ، روشی برای بررسـی رفتـار مغناطیـس ی یـک خوشـة مغناطیسی نظیر یک تک یاختة فریت روی را ارائه داده ا یم . سپس توزیع های اسپینی و گشتاورهای خالص مغناطیس ی برای این نمونـه محاسبه شده اند . این محاسبات کمیات تبادلی و ناهمسانگردی بدست آمده از اطلا عات ساختارهای حجمی را برای اسـپین هـای یـر سطحی و تخمین های معقولانه ای را برای اسپین های سطحی ، ناشی از پیوندهای شکسته شده در سـطح در بـر مـی گیـرد . در ایـن پژوهش منحنی مغناطش این خوشه مغناطیسی شبیه سازی شده است . با شبیه سازی این منحنی ، دریافته ایم که میدان خـا رجی لازم 6 برای اشباع یک تک یاختة فریت روی از مرتبة 10 ارستد 1 است . همچنین مغناط ش ذاتی سه هنگرد شامل یـک ، ده و صـد میلیـون عضو از تک یاخته های فری ت روی نا برهم کنشی محاسبه شده اند . نتایج این کارنشان می دهد که اگر طول ضلع ساختار فریت روی را به حدود طول ضلع یک تک یاخته کاهش دهیم، علی رغم ساختار کپه ای ، می توان مغناطش ذاتی نا صفر را انتظار داشت .

کلیدواژه ها:

تک یاخته ، خوشه مغناطیسی ، مغناطش اشباعی ، مغناطش ذاتی ، نانو ساختار ، نانوذره