محاسبه ضرایب یونیزاسیون برخوردی در نیمه هادی با استفاده از شبکه عصبی پرسپترون چندلایه

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,471

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCSCIT02_149

تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1391

چکیده مقاله:

دراین ممقاله با استفاده از شبکه MLP ضرایب یونیزاسیون برخوردی a,b را محاسبه می کنیم برای این کار پارامتر های Eg جرم موثر و میدان الکتریکی را ورودی شبکه درنظر می گیریم ضرایب یونیزاسیون برخوردی الکترون و حفره خروجی شبکه خواهند بود به ازای تعداد نورون ها و توابع انتقال مختلف با الگوریتم آموزشی trainlm شبکه را آموزش میدهیم تا به کمترین خطای آموزش دست یابیم سپس شبکه را تحت آزمون قرار میدهیم برای داده های آزمون ضریب همبستگی شبکه برای a و R=0.98 و برای B ، R=0.97 بدست آمد.

کلیدواژه ها:

یونیزاسیون برخوردی ، شبکه عصبی پرسپترون چندلایه

نویسندگان

ایران سلطانی نوروزی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی بوشهر

محمد سروش

استادیار دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • محمد سروش، محمد کاظم مروج فرشی و کامیار ثقفی، "شبیه‌سازی ...
  • G. E. Stillman and , M. Wolfe, in _ S ...
  • P A. Wolff, Phys. Rev. 95, 1415 (1954). ...
  • W. Shockley, Solid-State Electron. 18, 1035 (1961). ...
  • to ., 6) IEEE TRAN SACTIONS ON ELECTRON DEVICES, _ ...
  • Mohammad A. Saleh, Majeed M. Hayat, Paul P. Sotirelis, A ...
  • Impact ionization coefficients of A0 .8Ga0 , 2As, B. K. ...
  • Calculation of electron and hole impact ionization coefficients in SiGe ...
  • Electron. Dex _ Dissertation, Wien , The determination of impact ...
  • A.R. Wokstenholme, J.P.R. David, P.A. Claxton, R. Grey, J, Idoodhead, ...
  • photodiodes, " IEEE Trans. Electron Devices, vol. 45, no. 8, ...
  • ] L. W. Cook, G. E. Bulman, and G. E. ...
  • Temperature dependence of the ionization coefficients _ AlxGa1-xAs. Zheng, X.G. ...
  • Yang Wang and Kevin F B rennan, Ensemb le Monte ...
  • Adachi, Sadao" Properties of Semic onductorAlloys Group-IV, III-V and II-V ...
  • Ning Duan, S.Wang, X. G. Zheng, X. Li, Ning Li, ...
  • Co ldren, "detrimental effedt of impact ionization in the absorbtion ...
  • نمایش کامل مراجع