THE EFFECT OF ACCELERATED ELECTRON IRRADIATION ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF Si/Ge1-xSix HETEROSTRUCTURE
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,332
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICTPE06_078
تاریخ نمایه سازی: 17 فروردین 1389
چکیده مقاله:
In the given work the growth properties of Ge1-xSix epitaxil films grown on the substrates Si were investigated. The structural perfection of the films was controlled by electron diffraction, electron microscopic and X-ray diffraction methods. It has been established that the surface structure of the sample Si/Ge1-xSix changes after irradiation by accelerated electrons Ф = 5⋅1015 cm—2, surface defects which play the role of trap for the reflected particles generate.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
H Mehdevi
Institute of Radiation Problems, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
SH Abbasov
Institute of Radiation Problems, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
U.F Farajova
Institute of Radiation Problems, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
R.A Ibrahimova
Institute of Cybernetics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :