ساخت وریستور با اکسیدروی نانومتری و بررسی تاثیر درصد افزودنی اکسید بیسموت بر رفتار الکتریکی آن

در این پژوهش، وریستورهای تهیه شده از اکسید روی نانومتری، با درصدهای مولی گوناگون اکسید بیسموت (0/5 -1-mol%1/5) به روش متداول سرامیکی ساخته شد. نمونه ها در دماهای گوناگون (1000-1050-1100 درجه سانتیگراد) تف جوشی و سپس الکترودگذاری شدند. منحنی مشخص هی E-J هریک از نمونه ها به دست آمد.دیده شد که ضریب ناخطی و ولتاژ شکست به ترکیب مواد در ساخت نمونه و دمای تف جوشی آن بستگی دارد، به گونه ای که بیشینه مقدار ضریب ناخطی برای نمونه ی دارای 1/5 درصد مولی Bi2O3 وتف جوشی شده در دمای 1100درجه سانتیگراد به دست آمد.