ساخت وریستور با اکسیدروی نانومتری و بررسی تاثیر درصد افزودنی اکسید بیسموت بر رفتار الکتریکی آن
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,243
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_085
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
در این پژوهش، وریستورهای تهیه شده از اکسید روی نانومتری، با درصدهای مولی گوناگون اکسید بیسموت (0/5 -1-mol%1/5) به روش متداول سرامیکی ساخته شد. نمونه ها در دماهای گوناگون (1000-1050-1100 درجه سانتیگراد) تف جوشی و سپس الکترودگذاری شدند. منحنی مشخص هی E-J هریک از نمونه ها به دست آمد.دیده شد که ضریب ناخطی و ولتاژ شکست به ترکیب مواد در ساخت نمونه و دمای تف جوشی آن بستگی دارد، به گونه ای که بیشینه مقدار ضریب ناخطی برای نمونه ی دارای 1/5 درصد مولی Bi2O3 وتف جوشی شده در دمای 1100درجه سانتیگراد به دست آمد.
نویسندگان
مریم زهرایی
گروه فیزیک، دانشگاه اصفهان
مرتضی مظفری
گروه فیزیک، دانشگاه اصفهان
سیدمحمدحسن فیض
گروه فیزیک، دانشگاه اصفهان
ابراهیم برزآبادی
گروه برق، دانشگاه اصفهان