Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

سنتز نانو ذرات اکسید تیتانیم به روش سل ژل و بررسی اثر پوشش اکسید تیتانیم بر روی آبدوستی زیر لایه گرافیتی

سال انتشار: 1397
کد COI مقاله: SCMEMI15_015
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 964
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 8 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله سنتز نانو ذرات اکسید تیتانیم به روش سل ژل و بررسی اثر پوشش اکسید تیتانیم بر روی آبدوستی زیر لایه گرافیتی

سیدرضا صالحی دیدارگاهی - دانشجو کارشناسی ارشد گروه مهندسی مواد، دانشگاه فنی مهندسی گلپایگان
رضا امینی نجف آبادی - استادیار، گروه مهندسی مواد، دانشگاه فنی مهندسی گلپایگان
تقی اصفهانی - استادیار، گروه مهندسی مواد، دانشگاه فنی مهندسی گلپایگان
حسن شریفی - استادیار، گروه مهندسی مواد، دانشگاه شهرکرد- شهرکرد

چکیده مقاله:

روش های مختلفی برای اعمال نانو پوشش ها همانند فرایند CVD, PVD، سل ژل و ... وجود دارد. در این میان روش سل ژل به دلیل داشتن مزایایی نظیر سهولت کارایی، همگنی و یکنواختی بالای ترکیب شیمیایی از جایگاه ویژه ای در صنعت پوشش دهی بر خوردار است. بنابراین در این تحقیق نانو ذرات اکسید تیتانیم بوسیله روش سل ژل سنتز، و سپس به پودر تبدیل شد. که توسط آنالیز فوق اشعه ایکس و آنالیز SEM مورد بررسی قرار گرفته شد. همچنین یک محلول دیگر با ترکیب شیمیایی یکسان سنتز و بر روی زیر لایه گرافیتی پوشش داده شد. بر اساس آنالیز پراش اشعه ایکس تک فاز آناتاز حاصل شده و همچنین طبق آنالیز SEM ذرات زیر 100 نانو متر تشکیل گردید. همچنین تست زاویه تر شوندگی بر روی زیر لایه گرافیتی خام و گرافیت پوشش داده شده صورت گرفت. نتایج نشان می دهد که آبدوستی گرافیت پوشش دادهشده توسط اکسید تیتانیم به مراتب بیشتر از گرافیت خام بوده است به طوری که زاویه ی ترشوندگی گرافیت پوشش داده شده توسط اکسید تیتانیم با فاز آناتاز، 11/95 و زاویه ی ترشوندگی زیر لایه گرافیتی خام 29/59 درجه می باشد.

کلیدواژه ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا SCMEMI15_015 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/824124/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
صالحی دیدارگاهی، سیدرضا و امینی نجف آبادی، رضا و اصفهانی، تقی و شریفی، حسن،1397،سنتز نانو ذرات اکسید تیتانیم به روش سل ژل و بررسی اثر پوشش اکسید تیتانیم بر روی آبدوستی زیر لایه گرافیتی،پانزدهمین همایش علمی دانشجویی مهندسی مواد و متالورژی ایران،کرج،https://civilica.com/doc/824124

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1397، صالحی دیدارگاهی، سیدرضا؛ رضا امینی نجف آبادی و تقی اصفهانی و حسن شریفی)
برای بار دوم به بعد: (1397، صالحی دیدارگاهی؛ امینی نجف آبادی و اصفهانی و شریفی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

نظرات خوانندگان

5.00
1 تعداد پژوهشگران نظر دهنده
5 1
4 0
3 0
2 0
1 0

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 400
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی