مطالعه مکانیزم لایه نشانی الکتروشیمیایی و تاثیر غلظت نیکل بر روی زیرلایه( Si +n(111

لایه نشانی الکتروشیمیایی نسبت به روشهای لایه نشانی فیزیکی مزایایی از جمله عدم نیاز به سیستم خلا، دمای کاری پایین فرایند ( درحدود دمای محیط) ارزان قیمت بودن فرایند، و تولید فصل مشترک های تیز و اپیتاکسی برای ساخت لایه های نازک دارد در این راستا استفاده از روشهای مختلف الکتروشیمیایی از جمله ولتامتری سیکلی، کرونوآمپرمتری (منحنی مشخصه جریان - زمان) و کرونوپتانسیومتری (منحنی مشخصه پتانسیل - زمان ) برای مطالعه متغیرهای مختلف ترمودینامیکی و سینتیکی لایه نشانی مورد توجه قرا ردارد. با توجه به اهمیت لایه های نازک فرومغناطیسی، دراین تحقیق مکانیزم جوانه زنی و رشد نیکل برروی زیرلایه Si +n(111) از حمام سولفاتی ساده با استفاده از تکنیکهای الکتروشیمیایی ولتامتری سیکلی و کرونوآمپرمتری و مقایسه آن با تئوری شریفکز - هیلز مورد مطالعه قرار گرفته است نتایج آزمایش ولتامتری سیکلی در سرعتهای جاروب مختلف ازmV/s20 تا mV/s200 در غلظتهای متفاوت سولفات نیکل، جریان کاتدی از پتانسیل V0.7- شروع شده و پتانسیل احیای نیکل را در سرعت های جاروب مختلف محدوده و V1.3- تا V1.5- نشان میدهد بااستفاده از تکنیک کرونوآمپرمتری و رسم منحنی های بدون بعد مجذور نسبت جریان نشست به جریان پیک براساس تئوری شریفکز - هیلز، نحوه جوانه زنی به صورت آنی به اثبات می رسد. همچنین نحوه تغییرات مقدار جریان نشست نسبت به t1/2 خطی و نسبت به t3/2 غیرخطی است که تایید کننده مکانیزم جوانه زنی و رشد نیکل به صورت آنی می باشد.

کلیدواژه ها:

نیکل ، لایه نشانی الکتروشیمیایی ، جوانه زنی و رشد ، تئوری شریفکیز - هیلز.