مدل سازی و شبیه سازی اثر عرض و طول کانال MoS2 روی مشخصات ترانزیستور اثر میدانی با کانال دو بعدی

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی بر پایه مواد دو بعدی دی کالکوژن را به صورتانتقال کوانتومی بررسی می کنیم. اینجا ترانزیستور اثر میدانی را با مواد دو بعدیدی کالکوژن MoS(2) (MX2) شبیه سازی می شود. مواد دو بعدی دی کالکوژنبه دلیل اینکه باند گپ مناسب و کوچکی در دو حالت تک لایه و چند لایه دارندانتخاب شده اند. شبیه سازی با استفاده از روش تنگ بست و با استفاده ازماتریس همیلتونی و تابع گرین برای ساختارنوار تک لایه (MoS(2 نزدیک به گافانرژی اصلی را مطرح می کنیم. یک پارامتر سازی که شامل جفت شدگی اسپین-اوربیتال می باشد نیز ارایه می شود. همچنین اثر طول و عرض گیت و سویینگزیر آستانه (SS) وهمچنین نسبت جریان روشن/خاموش (Ion/Ioff ) نیزبررسی می شود.

کلیدواژه ها:

مواد دوبعدی دی کالکوژن ، روش تنگ بست ، ماتریس همیلتونی تابع گرین ، MoS 2