اشکان حری - دکتری تخصصی- عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
هادی فراهانی - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی بر پایه مواد دو بعدی دی کالکوژن را به صورتانتقال کوانتومی بررسی می کنیم. اینجا ترانزیستور اثر میدانی را با مواد دو بعدیدی کالکوژن MoS(2) (MX2) شبیه سازی می شود. مواد دو بعدی دی کالکوژنبه دلیل اینکه باند گپ مناسب و کوچکی در دو حالت تک لایه و چند لایه دارندانتخاب شده اند. شبیه سازی با استفاده از روش تنگ بست و با استفاده ازماتریس همیلتونی و تابع گرین برای ساختارنوار تک لایه (MoS(2 نزدیک به گافانرژی اصلی را مطرح می کنیم. یک پارامتر سازی که شامل جفت شدگی اسپین-اوربیتال می باشد نیز ارایه می شود. همچنین اثر طول و عرض گیت و سویینگزیر آستانه (SS) وهمچنین نسبت جریان روشن/خاموش (Ion/Ioff ) نیزبررسی می شود.

مواد دوبعدی دی کالکوژن ،روش تنگ بست، ماتریس همیلتونی تابع گرین ، MoS 2