شبیه سازی و مقایسه ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو نوار گرافن،سیلیکن و ژرمانن با استفاده از روشتابع گرین
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 584
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
THCONF01_181
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی عملکرد بالستیک ترانزیستورهای اثر میدانی نانو نوار مبتنی بر گرافن ، سیلیکن و ژرمانن پرداخته ایم.شبیه سازی ها در حالت بالستیک و با استفاده از روال تابع گرین غیر تعادلیNEGF در فضای مد صورت گرفته است. نتایج حاصله نشان می دهد که ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی دارای نسبت جریان روشنی به خاموشی بالاتر و تاخیر زمانی بیشتر و توان مصرفی کم تر و بازای کاهش ولتاز گیت دارای جریان تونل زنی کم تری نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار سیلیکنی وژرماننی می باشد.
نویسندگان
قاسم حاجی نوروز
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک، گروه مهندسی برق- الکترونیک، اراک، ایران
اشکان حری
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک، گروه مهندسی برق- الکترونیک، اراک، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :