بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی برای کاربردهای دیجیتالی

در این مقاله به بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی می پردازیم.این ترانزیستورها یکی از قابل اعتمادترین موارد برای جایگزینی در آیندهای نه چندان دور به واسطه مشخصاتالکترواستاتیکی و موبیلیتی بالاتر می باشند. این ترانزیستورها شامل پارامترهای مختلفی از قبیل ولتاژ کار، تعداد لولهقطر لوله، گام، مواد مورد استفاده و ثابت دیالکتریک میباشند که کاربری و عملکرد مدارهای دیجیتال را معینمی کنند. این مطالعه به بررسی اثر پارامترهای متفاوت بر روی عملکرد ترانزیستور می پردازد و یک روش جدید برایطراحی و بهینه سازی مشخصه های الکتریکی شامل تاخیر، مصرف انرژی، قابلیت راهاندازی و... در مدارهای دیجیتالیمعرفی می کند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، CNFET ، بهینه سازی ، موبیلیتی ، نانوکربن