بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی برای کاربردهای دیجیتالی
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 374
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IRCIVILC02_139
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی و ارزیابی مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله کربنی می پردازیم.این ترانزیستورها یکی از قابل اعتمادترین موارد برای جایگزینی در آیندهای نه چندان دور به واسطه مشخصاتالکترواستاتیکی و موبیلیتی بالاتر می باشند. این ترانزیستورها شامل پارامترهای مختلفی از قبیل ولتاژ کار، تعداد لولهقطر لوله، گام، مواد مورد استفاده و ثابت دیالکتریک میباشند که کاربری و عملکرد مدارهای دیجیتال را معینمی کنند. این مطالعه به بررسی اثر پارامترهای متفاوت بر روی عملکرد ترانزیستور می پردازد و یک روش جدید برایطراحی و بهینه سازی مشخصه های الکتریکی شامل تاخیر، مصرف انرژی، قابلیت راهاندازی و... در مدارهای دیجیتالیمعرفی می کند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رضا ثابت قدم
دانشجو کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه حکیم سبزواری
رضا علوی
دانشجو کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه بین المللی امام رضا مشهد