بررسی و مدل سازی ترانزیستور نیمه هادی گالیوم آرسناید

ترانزیستورهای اثر میدان، قطعات کنترل شونده با ولتاژ می باشند. ترانزیستورهای ماسفت، بسته به کانالی که ولتاژ اعمالی به گیت در زیر سطح لایه اکسید در آنها شکل میگیرد NMOS یا PMOS نامیده می شوند. به دلیل بالا بودن سرعت سوییچینگ و فرکانس کاری و نرخ بالای سیگنال به نویز در صنایع مخابرات در باند مایکرویوو استفاده می شوند. کانال روی یک زمینه نیمه هادی با مقاومت بالا و چگالی ناخالصی پایین می نشیند. مقاومت زیر بنا آن قدر بالاست که اغلب از یک ماده نیمه عایق استفاده می شود. چنانچه یک ولتاژ کوچیک بین سورس درین ایجاد شود، جریانی بین آنها برقرار می شود. که با افزایش ولتاژ سورس و درین جریان به صورت خطی افزایش می یابد. نخست به مقدمه ای از طراحی، شماتیک و سپس ساخت ترانزیستور و مراحل آن می پردازیم. در این تحقیق ترانزیستورهای اثر میدان بررسی و مدل سازی می شود و با استفاده از نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده و منحنی مشخصه آن رسم می گردد

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدان ، قطعات کنترل شونده ، باند مایکرویوو ، ساخت ترانزیستور ، شبیه سازی