شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستورهای با حرکت الکترون زیاد AlGaN/GaN1

ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون که مخفف عبارت انگلیسی آن HEMT است نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان fet است. این نوع ترانزیستور، بعنوان یک نوسان کنندهء موج حامل مایکروویو بکار می رود. اولین بار در سالهای 1969 بررسی شد اما تا سال 1980 ترانزیستوری که بتواند این کار را بکند هنوز به بازار نیامده بود. در این سال بود که اولین نوع آن برای تست کردن آماده شد و در سالهای 1980 تست روی آن شروع گردید. گالیم AlGaAs و آرسانید گالیم GaAs است. علت اینکه از آرسانید گالیم در دو طرف آن استفاده شده برای اینست که حرکت الکترون را در آن ارتقا دهند و این عمده ترین کار برای یک ترانزیستور در نوسان های بالاست. اکثر HEMTها از نوع کانال n هستند تا به قابلیت حرکت و در نتیجه سرعت بالاتر دست یابند. در این مقاله ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون بررسی و شبیه سازی می شود. ابتدا مقدمه ای از طراحی این ترانزیستور بیان می شود که برای درک بهتر از عملکرد این نوع ترانزیستور، با استفاده از نرم افزار سیلواکو، شبیه سازی و منحنی مشخصات آن رسم می گردد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون ، نوسان های بالا ، مراحل ساخت ، منحنی مشخصات جریان ولتاژ