اثر دما بر ویزگی های اپتیکی لایه نازک اکسید روی ( ZnO )
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,670
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP15_081
تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387
چکیده مقاله:
به منظور بررسی اثر دمای زیر لایه و بازپخت بر لایه های نازک اکسید روی لایه هایی با شرایط یکسان ضخامت 100 نانومتر آهنگ انباشت nm/s0.45 و در گسترده دمای زیر لایه k (450-325 و بازپخت c (500-350 لایه نشانی شدند انرژی باند گاف و توان عبوری لایه ها در گسترده طول موج nmو (1100-250) مورد مطالعه قرار گرفت . با افزایش دمای زیر لایه توان عبوری لایه ها کاهش یافته و افزایش دمای پخت در طول موجهای کوتاهتر موثر بوده است . اثر دمای زیر لایه و بازپخت بر مقدار انرژی باند گاف ناچیز بوده و بیشترین اثر در جذب لایه ها مشاهده شد . اثر تغییرات دمای بازپخت بر ضریب شکست نیز بررسی شد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اکبر زنده نام
آزمایشگاه لایه نازک ، دانشگاه اراک ، اراک
وجیهه تونگر
آزمایشگاه لایه نازک ، دانشگاه اراک ، اراک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :