بررسی تغییرات ضریب بازتابش ساختارهای کریستال فوتونی یک بعدی تخت متشکل از سه لایه ی متفاوت در هر سلول

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 922

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP16_276

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388

چکیده مقاله:

در این مقاله به بررسی تاثیر تغییرات ضریب شکست و فاصله ی بین لایه های کریستال فوتونی تخت برضریب بازتابش ساختاری متشکل از سه لایه ی متفاوت در هر سلول واحد پرداخته ایم. با مقایسه ی پهنای گافهای این ساختار و توجه به رفتار آنها نسبت به تغییر ضرایب شکست و ضخامت لایه ها می توان ضریب بازتابش حاصل از این ساختارها را نسبت به سیستمهای دولایه ای افزایش یا کاهش داد و در طراحی بازتاباننده ها از پهنای نوار گاف مناسب استفاده نمود.

کلیدواژه ها:

چندلایه ای دی الکتریک تخت ، ضریب بازتابش ، کریستال فوتونی یک بعدی ، نوار گاف فوتونی

نویسندگان

عبدالرسول قرائتی

گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، مرکز شیراز

سیدعلیرضا سراج فرد

گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، مرکز شیراز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Torrungrueng D, Lamultree S, Analysis of Planar Multilayer ...
  • Saleh B. E. A, Teich M. C, Fundamentas of Photonics, ...
  • Monzon J. J, Yonte T, Sanchez-Sot. L. L, Characterizing the ...
  • Reflectance of Periodic Layered Media, Commun ications, 218 43-47, 2003. ...
  • نمایش کامل مراجع