بررسی تغییرات ضریب بازتابش ساختارهای کریستال فوتونی یک بعدی تخت متشکل از سه لایه ی متفاوت در هر سلول
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 922
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_276
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی تاثیر تغییرات ضریب شکست و فاصله ی بین لایه های کریستال فوتونی تخت برضریب بازتابش ساختاری متشکل از سه لایه ی متفاوت در هر سلول واحد پرداخته ایم. با مقایسه ی پهنای گافهای این ساختار و توجه به رفتار آنها نسبت به تغییر ضرایب شکست و ضخامت لایه ها می توان ضریب بازتابش حاصل از این ساختارها را نسبت به سیستمهای دولایه ای افزایش یا کاهش داد و در طراحی بازتاباننده ها از پهنای نوار گاف مناسب استفاده نمود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عبدالرسول قرائتی
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، مرکز شیراز
سیدعلیرضا سراج فرد
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، مرکز شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :