بررسی مدهای نقص در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص راستگرد و چپگرد

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,412

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP15_069

تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387

چکیده مقاله:

در این مقاله اثر نقص مربوط به مواد راستگرد و چپگرد در بلور فوتونی یک بعدی با بهره گیری از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قارار گرفته شده است . نشان داده شده است که مدهای نقص جایگزیده حاصله از مواد راستگرد دارای پاشندگی مثبت بوده و در حالیکهدر مواد چپگرد پاشیدگی می تواند منفی و یا تقریبا صفر باشد . در این کار وابستگی موقعیت این مدها به پارامترهای فیزیکی لایه نقص نظیر ثابت دی الکتریک و رفتار میدان مدهای نقص در مواد راستگرد و چپگرد گزارش شده است .

نویسندگان

بایرام کاظم پور

دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر

منوچهر کلافی

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J. D. Joannopoulos, R. D. Meade, N. Winn, Photonic Crystal ...
  • F. R. Mendieta, P. Halevi, J. Opt. Soc Am. B, ...
  • S. Ya. Vetrov, A. V. Shabanov, E xperimental and Theoretical ...
  • M. Steslica, R. Kucharaczyk, A. Akjouj, B. D. Rouhani, L. ...
  • L. Chang Esaki, Physics. Rev. Lett. , 33, 495 (1974). ...
  • G. Liang Han, H. Wangg, Opt Lett. , 29, 192 ...
  • A. S op aheluwakan _ Defect states and defecte rodes ...
  • C. Chen, X. Li, H. Li, K. Xu, J. Wu, ...
  • نمایش کامل مراجع