بررسی مدهای نقص در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص راستگرد و چپگرد
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,422
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP15_069
تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله اثر نقص مربوط به مواد راستگرد و چپگرد در بلور فوتونی یک بعدی با بهره گیری از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قارار گرفته شده است . نشان داده شده است که مدهای نقص جایگزیده حاصله از مواد راستگرد دارای پاشندگی مثبت بوده و در حالیکهدر مواد چپگرد پاشیدگی می تواند منفی و یا تقریبا صفر باشد . در این کار وابستگی موقعیت این مدها به پارامترهای فیزیکی لایه نقص نظیر ثابت دی الکتریک و رفتار میدان مدهای نقص در مواد راستگرد و چپگرد گزارش شده است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
بایرام کاظم پور
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر
منوچهر کلافی
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :