طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز با بهره بالا در فرکانس 3.75GHz با استفاده از تکنولوژی TSMC 0.18μm

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 579

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICET01_027

تاریخ نمایه سازی: 13 شهریور 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک تقویت کننده ی کم نویز در فرکانس 3.75GHz با استفاده از تکنولوژی TSMC 0.18μm طراحی و شبیه سازی شده است. برای بدست آوردن مقادیر صحیح مربوط به منابع، تحلیل DC طوری انجام می شود که هم ترانزیستور در ناحیه فعال کار کند و هم شرط روشن بودن آن برقرار باشد. پس از طراحی پارامترها و شبیه سازی به وسیله نرم افزار ADS ، از اسمیت چارت جهت تطبیق امپدانس کمک گرفته و برای داشتن مقدار مطلوب ایزولاسیون خروجی از یک ترانزیستور آبشاری نیز در طراحی استفاده شد. در طراحی نهایی مقادیر تلفات بازگشتی ورودی (S11) و خروجی (S22) به ترتیب 12dB - و 24dB- بدست آمد، همچنین ایزولاسیون معکوس (S12) بهتر از 28dB - می باشد. علاوه بر این مقدار بهره و عدد نویز به ترتیب 22dB و 0.6dB شده و مقادیر نسبت ولتاژ موج ایستا در ورودی و خروجی 1.6 و 1.1 می باشد که بیانگر تطبیق در ورودی و خروجی است. از نظر پایداری مقدار فاکتور پایداری یا K برابر با 1.2 و ∆ و μ به ترتیب 0.46 و 1.39 بدست آمده که نشان می دهد مدار دارای پایداری قطعی می باشد. در این طراحی همچنین مدار از نظر هارمونیک و منحنی توان مورد بررسی قرار گرفت و مشخص شد هارمونیک دوم به میزان 50dB تضعیف شده و تا توان 27dB - به صورت خطی عمل می کند.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

زهرا عارف دارابی

گروه مهندسی برق، واحد داراب، دانشگاه آزاد اسلامی، داراب، ایران

مجتبی صادقی

گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران -