طراحی تقویت کننده کم نویز در فرکانس 15GHz با استفاده از ترانزیستور HEMT

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 531

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICET01_026

تاریخ نمایه سازی: 13 شهریور 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز در فرکانس 15GHz، طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این تقویت کننده از ترانزیستور کم نویز با تحریک الکتریکی بالا (HMET) محصول شرکت MITSUBISHI به نام MGF4964BL استفاده شده است که مشخصات نویزی و پارامتر پراکندگی آن در فرکانس 15GHz مطلوب است. پس از طراحی پارامترها و شبیه سازی با استفاده از نرم افزار ADS، مقادیر تلفات بازگشتی ورودی S11 و خروجی S22 به ترتیب 18.4dB- و 27.7dB- بدست آمد، همچنین ایزولاسیون معکوس S12 بهتر از 24.8dB- می باشد. علاوه بر این مقدار بهره و عدد نویز به ترتیب 14dB و 0.6dB شده و مقادیر VSWR در ورودی و خروجی، 1.27 و 1.08 می باشد که بیانگر تطبیق مناسب در ورودی و خروجی است. از نظر پایداری مقدار µ، K و Δ به ترتیب 1.85، 2.7 و 0.28 بدست آمده است که نشان می دهد دارای پایداری قطعی می باشد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مجتبی صادقی

گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران

زهرا عارف دارابی

گروه مهندسی برق، واحد داراب، دانشگاه آزاد اسلامی، داراب، ایران-