ارائه یک تقویت کننده کم نویز (LNA ) با ولتاژ و توان مصرفی بسیار پائین در ناحیه زیر آستانه با ساختار کسکود تاشده در فرکانس 1.5GHz
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 4,023
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_034
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز با ولتاژ تغذیه 0.47 و توان مصرفی بسیار پائین در فرکانس 1.5GHz با استفاده از ساختار کسکود تاشده در تکنولوژی TSMC 0.18µm CMOS، ارائه می دهیم که در آن ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. با استفاده از مدار پیشنهادی برای افزایش بهره در این ساختار و استفاده از تکنیک بایاس بدنه، توانسته ایم به ضریب شایستگی بسیار بالایی نسبت به ساختارهای مشابه دست یابیم. LNA ارائه شده در این مقاله دارای بهره بیش از 14.5dB می باشد در حالی که توان مصرفی و عدد نویر در آن به ترتیب برابر با 790µW و 2.9dB است، همچنین مدار در فرکانس کاری دارای تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مطلوبی است و در کل پهنای باند ایزولاسیون خروجی و ورودی آن کمتر از 33dB – می باشد.
کلیدواژه ها:
تقویت کننده کم نویز ، ساختار کسکود تاشده ، بایاس مستقیم بدنه ، ناحیه زیر آستانه ، افزایش ترارسانایی ، توان مصرفی بسیار پائین ، ولتاژ تغذیه بسیار پائین
نویسندگان
امین ظفریان
دنشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
عباس گلمکانی
استادیار موسسه آموزش عالی سجاد مشهد
جلیل شیرازی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد گناباد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :