مدل سازی ولتاژ آستانه ترانزیستور با گیت احاطه شده دو ماده ای در شرایط کاری زیر آستانه
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 442
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_475
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله مدل تحلیلی جدیدی برای پتانسیل کانال ترانزیستور با گیت احاطه شده دو ماده ای در دو بعد و در شرایط کاری زیر آستانه ارایه شده است.پتانسیل به صورت مجموع دو مولفه کانال بلند یک بعدی در راستای عمود بر کانال و مولفه کانال کوتاه دو بعدی در نظر گرفته شده است.در این مدل با توجه به عملکرد قطعه در شرایط کاری زیر آستانه از اثر بارهای متحرک درون کانال چشم پوشی شده است.بااستفاده ازمدل پتانسیل استخراج شده و تعریف کاتد مجازی ,روابط تحلیلی برای ولتاژ آستانه به عنوان ولتاژ گیتی که در آن چگالی بار وارونگی (حاملهای اقلیت)با چگالی حامل های اکثریت در بدنه برابر می شود بدست آمده است.در پایان ساختار مورد نظر را با نرم افزار ATLAS شبیه سازی کردیم, تطبیق مناسب بین نتایج شبیه سازی و مدل, صحت مدل پیشنهادی را تایید می کند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شکوفه احمدی
گروه مهندسی برق , دانشکده فنی مهندسی ,دانشگاه شهرکرد
سیدامیر هاشمی
گروه مهندسی برق , دانشکده فنی مهندسی ,دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :