بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت

لایههای نازک نانوساختار سولفید قلع (SnS) از یک محلول آبی شامل 2SnCl و 3O2S2Na بر روی یک زیرلایه شیشهای از جنس FTO با روش الکتروانباشت تهیه شدند. در آزمایش، غلظت مواد تشکیلدهنده ثابت، pH و دمای محلول به ترتیب 1 / 2 و °c 60 انتخاب شدند. انباشت در 30 دقیقه انجام شد. با ثابت نگه داشتن سایر پارامترها، اثر تغییر پتانسیل انباشت (E) بر روی خواصساختاری و بلوری لایههای نازک SnS مورد بررسی قرار میگیرد.لایههای انباشت شده بوسیله پراش پرتو X (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) ، آنالیز تفکیک انرژیاشعه X (EDS) ، فوتولومینوسانس (PL) و UV-Vis مشخصهیابی شدند. نتایج EDS نشان داد که نسبت Sn/S به پتانسیل انباشت وابسته بوده و در پتانسیل V 1 - E= ، نسبت Sn/S به 1 نزدیک میگردد.الگوهای XRD نشان دادند که سولفید قلع بوجود آمده بلوری بوده و دارای ساختار اورتورمبیک میباشد. نتایج PL وجود 3 پیک اصلی را در محدودههای نشر نور آبی با طول موج بین nm467 - 474 ، نشر نور سبز در nm 533 و در طیف IR بین nm 832 - 836 را نشان میدهد. با توجه به آنالیز Vis-UV ، تغییر E باعث می- شود تا gE در محدوه 21 / 1 تا eV 36 / 1 تغییر کند. با توجه بهمقادیر gE بدست آمده ، لایههای نازک SnS برای استفاده به عنوان لایههای جاذب سلول خورشیدی مناسب خواهند بود.

کلیدواژه ها:

لایههای نازک سولفید قلع ، الکتروانباشت ، نانوساختار ، سلولهای خورشیدی ، خواص نوری