Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت

دهمین همایش مشترک و پنجمین کنفرانس بین المللی انجمن مهندسی مواد و متالورژی و انجمن علمی ریخته گری ایران
سال انتشار: 1395
کد COI مقاله: IMES10_419
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 353
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 12 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت

حسین کفاشان - گروه مهندسی مواد، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
فرید جمالی شینی - دانشکده علوم، واحد اهواز، دانشگاه آزاد اسلامی، اهواز، ایران
رضا ابراهیمی کهریزسنگی - گروه مهندسی مواد، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
رامین یوسفی - دانشکده علوم، واحد مسجدسلیمان، دانشگاه آزاد اسلامی، مسجدسلیمان، ایران

چکیده مقاله:

لایههای نازک نانوساختار سولفید قلع (SnS) از یک محلول آبی شامل 2SnCl و 3O2S2Na بر روی یک زیرلایه شیشهای از جنس FTO با روش الکتروانباشت تهیه شدند. در آزمایش، غلظت مواد تشکیلدهنده ثابت، pH و دمای محلول به ترتیب 1 / 2 و °c 60 انتخاب شدند. انباشت در 30 دقیقه انجام شد. با ثابت نگه داشتن سایر پارامترها، اثر تغییر پتانسیل انباشت (E) بر روی خواصساختاری و بلوری لایههای نازک SnS مورد بررسی قرار میگیرد.لایههای انباشت شده بوسیله پراش پرتو X (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) ، آنالیز تفکیک انرژیاشعه X (EDS) ، فوتولومینوسانس (PL) و UV-Vis مشخصهیابی شدند. نتایج EDS نشان داد که نسبت Sn/S به پتانسیل انباشت وابسته بوده و در پتانسیل V 1 - E= ، نسبت Sn/S به 1 نزدیک میگردد.الگوهای XRD نشان دادند که سولفید قلع بوجود آمده بلوری بوده و دارای ساختار اورتورمبیک میباشد. نتایج PL وجود 3 پیک اصلی را در محدودههای نشر نور آبی با طول موج بین nm467 - 474 ، نشر نور سبز در nm 533 و در طیف IR بین nm 832 - 836 را نشان میدهد. با توجه به آنالیز Vis-UV ، تغییر E باعث می- شود تا gE در محدوه 21 / 1 تا eV 36 / 1 تغییر کند. با توجه بهمقادیر gE بدست آمده ، لایههای نازک SnS برای استفاده به عنوان لایههای جاذب سلول خورشیدی مناسب خواهند بود.

کلیدواژه ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا IMES10_419 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/574856/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
کفاشان، حسین و جمالی شینی، فرید و ابراهیمی کهریزسنگی، رضا و یوسفی، رامین،1395،بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت،دهمین همایش مشترک و پنجمین کنفرانس بین المللی انجمن مهندسی مواد و متالورژی و انجمن علمی ریخته گری ایران،شیراز،https://civilica.com/doc/574856

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، کفاشان، حسین؛ فرید جمالی شینی و رضا ابراهیمی کهریزسنگی و رامین یوسفی)
برای بار دوم به بعد: (1395، کفاشان؛ جمالی شینی و ابراهیمی کهریزسنگی و یوسفی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • پجمین‌کنفرنس بین‌المللی مهنسسی _ ومتلوی‌ودهمین کنفرنس مشترکلجم مهنسین متلوژی‌یرک ولجم ...
  • پجمین‌کنفرنس بین‌المللی مهنسسی _ ومتلوی‌ودهمین کنفرنس مشترکلجم مهنسین متلوژی‌یرک ولجم ...
  • O.E. Ogah, G. Zoppi, I. Forbes, R.W. Miles, Thin films ...
  • O.E. Ogah, K.R. Reddy, G.Zoppi, I. Forbes, R.W.Miles, Annealing studies ...
  • M. Sugiyama, K.T.R. Reddy, N.Revathi, Y.Shimamoto, Y.Murata, Band offset of ...
  • R. Marippan, M. Ragavendar, _ Ponnuswamy, Structural and optical characterizati ...
  • G.H. Yue, D.L. Peng, P.X. Yan, L.S. Wang, W. Wang, ...
  • N.R. Mathews, H.B.M. Anaya, M.A. Cortes-Jacome, C. Angeles -Chavez, J.A. ...
  • N.K. Reddy, K.T.R. Reddy, Electrical properties of spray pyrolytic tin ...
  • , 9 Nov. 2016 Shiraz University ...
  • H. Noguchi, A. Setiyadi, H. Tanamura, T.Nagatomo, O. Omoto, Characterizati ...
  • N.K. Reddy, K.T.R. Reddy, Preparation and charac terization of sprayed ...
  • P.P. Hankare, A.V.Jadhav, P.A. Chate, K.C. Rathod, P.A. Chavan, S.A. ...
  • A.Ghazali, Z. Zainal, M.Z. Hussein, A. Kassim, Cathodic electrodep osition ...
  • Metin Kul, Electrodepo sited SnS films for photovoltaic application, Vacuum ...
  • K. Hartman, J.L. Johnson, M.I. Bertoni, D. Recht, M.J. Aziz, ...
  • S. Cheng, Y. Chen, C. Huang, G. Chen, Characterizati _ ...
  • S. Cheng, G. Chen, Y. Chen, C. Huang, Effect of ...
  • S. Chen, Y. Chen, Y. He, G. Chen, The structure ...
  • M. Mnari, N. Kamoun, J. Bonnet, M. Dachraoui, Chemical bath ...
  • A. Saaedi, R. Yousefi, F. Jamali-Sheni, M. Cheraghizade, A. Khorsand ...
  • Y. Zhao, Z. Zhang, H.Dang, W. Liu, Synthesis of tin ...
  • M. Devika, N. K. Reddy, M. Prashantha, K. Ramesh, S. ...
  • B. Ghosh, M. Das, P. Banerjee, S. Das, Fabrication and ...

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه آزاد
تعداد مقالات: 10,629
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی