سال انتشار: 1385
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
کد COI مقاله: ICEE14_317
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 1,263
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 5 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:
مشخصات نویسندگان مقاله سلول SRAM با توان کمتر و سرعت بیشتر برای کاربردهای توان پایین
چکیده مقاله:
در این مقاله یک سلول حافظه SRAM با توان مصرفی کمتر و نیز سرعت بیشتر وحساسیت کمتر به نویز و با اندکی افزایش سطح ارائه می گردد. این تکنیک توان مصرفی سلول را مستقل از منطق ذخیره شده در آن کاهش می دهد. سلول جدید در تکنولوژی 45nm شبیه سازی شده است. در مقایسه با سلول SRAM متداول، طراحی جدید جریان نشتی گیت را بیش از 26 % وتوان حالت Standby را 37 % برای ضخامت اکسید 1/4nm کاهش می دهد. سرعت دستیابی در طراحی جدید برای عملیات خواندن 8/8% بهبود یافته در حالی که سرعت نوشتن بدون تغییر می ماند.
کلیدواژه ها:
، جریان نشتی گیت، SRAM، PP-SRAM
کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:https://civilica.com/doc/54988/
نحوه استناد به مقاله:
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:رضوی پور، سید قاسم و معتمدی، سید احمد و افضلی کوشا، علی،1385،سلول SRAM با توان کمتر و سرعت بیشتر برای کاربردهای توان پایین،چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران،تهران،،،https://civilica.com/doc/54988
در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1385، رضوی پور، سید قاسم؛ سید احمد معتمدی و علی افضلی کوشا)
برای بار دوم به بعد: (1385، رضوی پور؛ معتمدی و افضلی کوشا)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :مدیریت اطلاعات پژوهشی
اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.
علم سنجی و رتبه بندی مقاله
مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.
مقالات پیشنهادی مرتبط
- الزامات امنیتی خدمات و سرویسهای شبکه های کامپیوتری
- طراحی سلول حافظه ایستای (SRAM) ترانزیستوری کم توان و مقاوم در برابر فرآیند ساخت
- طراحی یک سلول جدید حافظه SRAM با مصرف توان پایین در تکنولوژی های CMOS و FinFET
- بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET
- طراحی و شبیه سازی ترانزیستور FinFET جهت اصلاح نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش
مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.
مقالات مرتبط جدید
- مدلسازی لیزر نقطه کوانتومی مبتنی بر کاواک فوتونیک کریستال
- طراحی دیکشنری توصیفی – تفکیکی با استفاده از نمایش تنک سریع
- بررسی امنیت و چالشهای حریم خصوصی در اینترنت اشیا
- ارائه ی راهکاری در سیستم تشخیص نفوذ به منظور کلاس بندی و کاهش حملات بااستفاده از الگوریتم های یادگیری ماشین و بریچ
- بررسی مخاطرات امنیتی برای گوشی های تلفن همراه دارای سیستم عامل اندروید
مقالات فوق اخیرا در حوزه مرتبط با این مقاله به سیویلیکا افزوده شده اند.
به اشتراک گذاری این صفحه
اطلاعات بیشتر درباره COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.